我们知道其实继电器的触点保护要比Mosfet更加残酷，一般继电器的负载要比Mosfet大很多。常见的直流大的负荷直流电动机，直流离合器和直流电磁阀，这些感性负载开关关闭，数百甚至几千伏的反电动势造成的浪涌会把触点寿命降低甚至彻底损坏。 当然如果电流较小，比如在1A附近的时候，反电动势会造成电弧放电，放电会导致金属氧化物污染触点，导致触点失效，接触电阻变大。这里要提一下，继电器始终是会失效的，我们做保护，主要是希望延长继电器的使用时间，因为触点始终会积碳，老化，其表面不如最初那样清洁。 在继电器寿命临近后期时，其接触电阻会迅速增大。一般常温常压下，空气中的关键 电介质击穿电压为200～300V.因此我们的目标一般是把电压控制在200V或更小的电压以下。 我们一般有以下的集中方法来抑制： 电路形式如图1，这种形式主要应用于继电器的额定工作电压低于电源电压的电路中。当电路闭合时，继电器线圈由于自感现象会产生电动势阻碍线圈中电流的增大，从而延长了吸合时间，串联上RC电路后则可以缩短吸合时间。原理是电路闭合的瞬间，电容C两端电压不能突变可视为短路，这样就将比继电器线圈额定工作电压高的电源电压加到线圈上，从而加快了线圈中电流增大的速度，使继电器迅速吸合。电源稳定之后电容C不起作用，电阻R起限流作用。 电路形式见图2，电路闭合后，当电流稳定时RC电路不起作用，断开电路时，继电器线圈由于自感而产生感应电动势，经RC电路放电，使线圈中电流衰减放慢，从而延长了继电器衔铁释放时间，起到延时作用。 电路形式见图3，主要是为了保护晶体管等驱动元器件。当图中晶体管VT由导通变为截止时，流经继电器线圈的电流将迅速减小，这时线圈会产生很高的自感电动势与电源电压叠加后加在VT的c、e两极间，会使晶体管击穿，并联上二极管后，即可将线圈的自感电动势钳位于二极管的正向导通电压，此值硅管约0.7V，锗管约0.2V，从而避免击穿晶体管等驱动元器件。并联二极管时一定要注意二极管的极性不可接反，否则容易损坏晶体管等驱动元器件。
对于粘和只有两种策略：
触点保护电路和抗材料转移的物质如银，氧化锡，银钨或AgCu在触点的使用。
一般来说凹形出现在阴极，凸形出现在阳极。
负载Inrush示意图：